Superposição de camadas de nanopartículas melhora transistores

Flexibilidade e custo relativamente baixo de tecnologias com nanopartículas de prata devem revolucionar os dispositivos de memória.

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30 Agosto 2010 | 16h04

Flexibilidade e custo relativamente baixo de tecnologias com nanopartículas de prata devem revolucionar os dispositivos de memória. Crédito: The Hong Kong Polytechnic University.

Flexibilidade e custo relativamente baixo de tecnologias com nanopartículas de prata devem revolucionar os dispositivos de memória. Crédito: The Hong Kong Polytechnic University.

Pesquisadores da Universidade Politécnica de Hong Kong demonstraram que superposições de camadas simples de nanopartículas de prata podem fornecer um desempenho muito melhor na utilização em transistores orgânicos – comumente usados em aparelhos eletrônicos. A descoberta deve reduzir o custo de dispositivos de memória, como telas sensíveis ao toque e e-books.

Transistores orgânicos envolvem a utilização de compostos semicondutores orgânicos em equipamentos eletrônicos. São parte fundamental de sistemas como telas sensíveis ao toque, tornando as cores mais vivas, permitindo a leitura em ambientes menos iluminados. Com uso adequado da nanotecnologia, o desempenho destes transistores pode ser melhorado, bem como o tamanho reduzido (mais fino).

Os resultados do estudo, publicados na revista Applied Physics Letters, mostram que a espessura da camada de nanopartículas muda o desempenho do dispositivo de memória de forma mais previsível. Desta forma, é possível aperfeiçoar o desempenho do transistor para atender a requisitos específicos, de acordo com os fins desejados.

Transistores orgânicos feitos com uma camada de nanopartículas de 1-nanômetro têm memória estável de até três horas, sendo adequados aos buffers de memória. Transistores com uma camada de 5 nanômetros de espessura podem reter a carga por mais tempo.

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